IGBT-moduulin kytkentähäviöiden mittausjärjestelmän kehittäminen
| dc.contributor.author | Takala, Matti | |
| dc.contributor.faculty | fi=Teknillinen tiedekunta|en=Faculty of Technology| | |
| dc.contributor.organization | Vaasan yliopisto | |
| dc.date.accessioned | 2014-03-25 | |
| dc.date.accessioned | 2018-04-30T13:49:28Z | |
| dc.date.accessioned | 2025-06-25T18:55:00Z | |
| dc.date.available | 2014-04-07 | |
| dc.date.available | 2018-04-30T13:49:28Z | |
| dc.date.issued | 2014 | |
| dc.description.abstract | Tässä työssä suunnitellaan ja kuvataan mittalaitteiston prototyyppi, joka soveltuu IGBT:n ja tehodiodin kytkentähäviöiden määrittämiseen. Mittalaitteiston toteutuksessa tulee erityisesti ottaa huomioon mekaaninen soveltuvuus vaihtelevien tehomoduulien mittaukseen. Lisäksi IGBT:n ohjausta varten valmistetaan siihen soveltuva ohjainkortti. Mittapäiden ja mittapiirin vaatimusmäärittelyn pohjaksi tutustutaan ensin tehomoduulin, IGBT:n ja tehodiodin rakenteeseen sekä päällekytkennän- ja poiskytkennän aaltomuo-toihin siltakytkennässä. Sitten tutustutaan hilaohjauspiiriin sekä muihin kytkentähäviöiden suuruuteen vaikuttaviin tekijöihin. Kytkentähäviöt määritellään oskilloskoopilla kytkennän aikana muuttuvista virta- ja jännitekuvaajista. Mittauksen oikeellisuutta arvioidaan mitattuja aaltomuotoja ana-lysoimalla ja vertaamalla niitä teorian perusteella odotettuun käyttäytymiseen. Sen jäl-keen mitattuja kytkentähäviöitä verrataan valmistajan datalehdessä ilmoittamiin arvoi-hin. Lisäksi alemmassa lämpötilassa mitattujen kytkentähäviöiden perusteella skaalattuja häviöitä verrataan korkeammassa lämpötilassa mitattuihin häviöihin. Valmistetun mittalaitteiston prototyyppi osoittautui tarkoituksenmukaiseksi. Vaikka va-littu virtamittari aiheutti mittaustuloksissa vääristymää, työssä esiteltiin tapa virheen ha-vaitsemiseen ja sen vaikutuksen laskennalliseen poistamiseen mittaustuloksesta. Lisäksi, tämän työn perusteella, kytkentähäviöiden skaalaus alhaisemmasta lämpötilasta kor-keampaan on epäluotettava tapa määritellä häviöt korkeassa lämpötilassa. | |
| dc.description.notification | fi=Opinnäytetyö kokotekstinä PDF-muodossa.|en=Thesis fulltext in PDF format.|sv=Lärdomsprov tillgängligt som fulltext i PDF-format| | |
| dc.format.bitstream | true | |
| dc.format.extent | 86 | |
| dc.identifier.olddbid | 5768 | |
| dc.identifier.oldhandle | 10024/5720 | |
| dc.identifier.uri | https://osuva.uwasa.fi/handle/11111/13956 | |
| dc.language.iso | fin | |
| dc.rights | CC BY-NC-ND 4.0 | |
| dc.rights.accesslevel | restrictedAccess | |
| dc.rights.accessrights | fi=Kokoteksti luettavissa vain Tritonian asiakaskoneilla.|en=Full text can be read only on Tritonia's computers.|sv=Fulltext kan läsas enbart på Tritonias datorer.| | |
| dc.source.identifier | https://osuva.uwasa.fi/handle/10024/5720 | |
| dc.subject | tehopuolijohdemoduuli | |
| dc.subject | IGBT | |
| dc.subject | diodi | |
| dc.subject | kytkentähäviöiden mittaus | |
| dc.subject | hilaohjaus | |
| dc.subject.degreeprogramme | fi=Sähkö- ja energiatekniikan koulutusohjelma (DI)| | |
| dc.subject.study | fi=Sähkötekniikka|en=Electrical Engineering| | |
| dc.title | IGBT-moduulin kytkentähäviöiden mittausjärjestelmän kehittäminen | |
| dc.type.ontasot | fi=Diplomityö|en=Master's thesis (M.Sc. (Tech.))|sv=Diplomarbete| |
Tiedostot
1 - 1 / 1
